SanDisk e Toshiba anunciam abertura da Fab 5, no Japão, para fabricação de memória flash NAND de 300 mm

A SanDisk Corporation (NASDAQ: SNDK) e Toshiba Corporation (TOKYO: 6502) anunciam hoje a abertura da Fab 5, a terceira fábrica de memórias flash NAND de 300 mm nas instalações da Toshiba Operações Yokkaichi em Mie, no Japão.

A demanda dos consumidores por smartphones, tablets e outros dispositivos eletrônicos continua a estimular a forte demanda global por memórias flash NAND. A Toshiba iniciou a construção da Fab 5, em julho de 2010, e as novas instalações, equipadas com equipamentos de fabricação financiados pela Toshiba e SanDisk, inicia a produção em julho de 2011. Atualmente, a Fab 5 usa processo de tecnologia com 24 nanômetros (nm)* e o seu primeiro wafer será produzido em agosto.

Com o tempo, o Fab 5 fará a transição para processos com gerações mais avançadas, começando com a, recentemente anunciada, tecnologia de 19nm, a menor do mundo - com o mais avançado nó de processamento.

A Fab 5 incorpora a avançada estrutura de absorção de terremoto e integra múltiplas técnicas de compensação de energia para proteção contra perturbações inesperadas. A iluminação de LED e fabricação de equipamentos com economia de energia apoiará a Toshiba na obtenção da meta para reduzir em 12% as emissões de CO2, em relação à Fab 4. Um sistema de transporte de wafers liga as instalações das Fabs 3 e 4 para proporcionar uma produção eficiente.

A Flash Forward, Ltd., uma joint venture entre a Toshiba e a SanDisk criada em setembro de 2010 (50,1% pertence à Toshiba e 49,9% à SanDisk), financiou a fabricação de equipamentos avançados dentro da Fab 5.